Brechungsindex von GaAs, Gallium Arsenide

Gallium arsenide (GaAs) is a compound of the elements gallium and arsenic. It is a III/V semiconductor, and is used in the manufacture of devices such as microwave frequency integrated circuits, monolithic microwave integrated circuits, infrared light-emitting diodes, laser diodes, solar cells, and optical windows.

Für eine typische Probe von GaAs betragen der Brechungsindex und der Extinktionskoeffizient bei 632,8 nm 3.85744 und 0.1983491. Nachfolgend finden Sie Dateien mit vollständigen Brechungsindex und Extinktionskoeffizienten. Wenn die Datei nicht heruntergeladen werden kann, können Sie unsere proprietäre Datei anfordern, indem Sie auf "Anfordern" klicken.

Referenz für Brechungsindex - J. B. Theeten, D. E. Aspnes, and R. P. H. Chang, J. Appl. Phys. 49, 6097 (1978)

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