Brechungsindex von InAs, Indium Arsenide

Indium arsenide, InAs, or indium monoarsenide, is a semiconductor material, a semiconductor composed of indium and arsenic. It has the appearance of grey cubic crystals and is used for construction of infrared detectors, for the wavelength range of 1-3.8 ?Em. The detectors are usually photovoltaic photodiodes.

Für eine typische Probe von InAs betragen der Brechungsindex und der Extinktionskoeffizient bei 632,8 nm 3.96317 und 0.6065408. Nachfolgend finden Sie Dateien mit vollständigen Brechungsindex und Extinktionskoeffizienten. Wenn die Datei nicht heruntergeladen werden kann, können Sie unsere proprietäre Datei anfordern, indem Sie auf "Anfordern" klicken.

Referenz für Brechungsindex - D. E. Aspnes and A. A. Studna, Phys. Rev. B 27 985 (1983)

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