Brechungsindex von Si, Silicon

Silizium ist das zweithäufigste Element auf der Erde. Es stellt die Basis für nahezu alle nicht-optischen Halbleiterprodukte dar. In der Optik ist Silikon primär als Detektor oder Reflektor interessant, und sowohl der Brechungsindex als auch der Absorptionskoeffizient sind von besonderer Wichtigkeit. Die unten angegebenen Werte gelten unabhängig davon, ob die Probenoberfläche parallel zur 111 oder 100 Kristallebene verläuft. Auch der Grad der Dotierung hat nur einen sehr kleinen Einfluss auf den Brechungsindex im hier betrachteten Wellenlängenbereich (200 bis 2500nm). Silizium bildet eine nahezu perfekte Schicht von SiO2 wenn es einer oxidierenden Umgebung ausgesetzt wird. Diese "natürliche" Oxidschicht muss häufig berücksichtigt werden, wenn der Brechungsindex oder die Schichtdicke von sehr dünnen Schichten auf Silizium gemessen werden soll.

Für eine typische Probe von Si betragen der Brechungsindex und der Extinktionskoeffizient bei 632,8 nm 3.88163 und 0.01896923. Nachfolgend finden Sie Dateien mit vollständigen Brechungsindex und Extinktionskoeffizienten. Wenn die Datei nicht heruntergeladen werden kann, können Sie unsere proprietäre Datei anfordern, indem Sie auf "Anfordern" klicken.

Referenz für Brechungsindex - Handbook of Optical Constants of Solids, Edward D. Palik. Academic Press, Boston, 1985

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