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缺陷检测与复检

KLA 的缺陷检测和复检系统涵盖芯片制造环境中的所有良率应用,其中包括来料工艺工具鉴定、晶圆鉴定、研发以及工具、工艺和生产线监控。图形化和非图形化晶圆缺陷检测和审查系统利用独特的光子和电子束光学和传感器技术以及 AI 驱动的算法,查找和识别晶圆正面、背面和边缘的颗粒和图案缺陷并对其进行分类。该信息将帮助工程师发现、解决并监控关键的良率偏移,从而加快良率提升并达到更高的产品良率

Products

39xx

超分辨率宽光谱等离子图案晶圆缺陷检测系统

392x Series电浆晶圆缺陷检测系统针对≤7纳米的逻辑和领先储存器件,支援位于设计节点的晶圆级缺陷侦测、良率学习与线上监测。借由光源技术所带来的超分辨率深紫外光(SR-DUV) 波长带以及创新传感器,3920和3925提供了卓越的缺陷类别检测。392x Series配有先进的pixel•point™和nano•cell™设计认知算法,能够在对良率关键的图案位置捕获缺陷并对其分类。392x Series将检测速度和灵敏度相结合,并支持Discovery at the Speed of Light™(光速发现)功能,从而使其产量达到在线监测的要求,在研发和批量生产中缩短了晶圆级数据的采集时间并能完整表征制程问题。

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29xx

宽频等离子体图案华晶圆缺陷检测系统

2965 和 2950 EP 宽带等离子体缺陷检测系统在光学缺陷检测方面实现了技术突破,能够发现逻辑器件和存储器件上对良率至关重要的缺陷。2965 和 2950EP 检测仪使用增强的宽频等离子体照明技术,如 Super•Pixel™ 模式和先进的检测算法,提供了在一系列工艺层、材料类型和工艺堆叠中检测关键缺陷所需的灵敏度。2965 提供检测纳米片关键缺陷的波段,提高了芯片制造商的效率,并且支持制造具有全栅晶体管架构的前沿芯片。2950EP 进行了一些硬件、算法和缺陷分类方面的创新,以支持 3D NAND 和 DRAM 设备的缺陷发现与监测。作为业内线上监测的标准,2965 和 2950 EP结合了灵敏度与光学晶圆检测速度,实现Discovery at the Speed of Light™ ,敏捷并全面检测缺陷以实现最佳拥有成本。

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C30x

宽频电浆图案化晶圆缺陷检测系统

C30x 系列宽频等离子体光学检测仪可对汽车、物联网、5G、消费电子和工业(军事、航空航天、医疗)市场的芯片制造提供系统缺陷检测和潜在可信度缺陷检测。C30x 检测仪采用可调谐宽频光源、先进光学器件和低噪声传感器来检测一系列工艺层和设备类型的关键缺陷。NanoPoint™ 技术将检测重点放在可靠性故障高风险的图案区域,提供可操作的缺陷数据,有助于减少漏网和误宰。通过发现系统缺陷,C30x 检测仪有助于加快研发过程中新工艺、设计节点和设备的表征和优化。在制造过程中,光学检测速度快、灵敏度高的 C30x 系统可对关键工艺层进行线上监测,以免晶圆厂发生影响最终芯片质量的缺陷偏移。C30x 检测仪采用可扩展、可配置的平台,支持 200mm 和 300mm 晶片尺寸。

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Voyager®

激光扫描图案晶圆缺陷检测系统

Voyager®1035激光扫描检测系统能够在先进逻辑和内存芯片制造的量产提升期间实现缺陷监 控。Voyager 1035 检测仪采用 DefectWise®深度学习算法,将关键的 DOI(关键缺陷)从图案噪 声中分离出来并提高其整体缺陷捕获率,其中包括独特且不易发现的缺陷。该系统采用了行业中 独一无二的斜入射光源技术和量子效率提升 30%的新传感器,在显影后检测(ADI)和 EUV 光刻工 艺中的光刻单元监测(PCM)等应用中可以对脆弱的光阻层进行无损检测,从而提高产量和灵敏 度。Voyager 1035 具备高产量和高灵敏度,并结合深度学习能力,使其在光刻和晶圆厂内其他的 工艺模块中能够捕获关键缺陷,从而快速识别并纠正良率问题。

Puma™

激光扫描图案晶圆缺陷检测系统

Puma™ 9980激光扫描检测系统增强了多项灵敏度和速度功能,在提供了足够量产所需产能的同时,帮助1Xnm的先进逻辑器件和先进DRAM及3D NAND内存器件的批量制造捕获关键缺陷(DOI)。 作为先进晶圆缺陷缺陷检测与复检设备系列的一部分,Puma 9980通过提升对于图案层(e.g., Multi-patterning)缺陷类型的捕获,为量产提升监控提供了最高产能的解决方案。 Puma 9980结合了NanoPoint™这一设计解析功能,提升了缺陷检测灵敏度、更好的系统性噪音分离,以及缺陷定位精度的提高,为最终的检测结果提供了更多的可操作性。

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8 Series

高效率图案晶圆宽带检测系统

8 Series图案晶圆检测系统以卓越的产出率侦测各类缺陷,快速识别与解决生产过程中的问题。8 Series提供具成本效益的缺陷监测,针对芯片制造使用的150毫米、200毫米或300毫米的矽、SiC、GaN、玻璃与其他基板,从产品初期开发到量产阶段皆适用。最新一代的8935检测仪采用全新光学技术以及DesignWise®和 FlexPoint™ 精确定位技术ˋ,捕捉任何可能导致芯片故障的关键缺陷。DefectWise® AI技术快速进行线上分离,从而改善缺陷检测与分级效能。透过这些创新技术,8935检测仪高效捕捉与产量和可靠性相关的缺陷,同时保持低误报率,帮助芯片制造商以更低的成本交出可靠的产品。8 Series检测仪支援针对制造过程中各种领先与传统节点进行缺陷检测,包括逻辑、储存、功率、LED、光子、射频与微机电(MEMS) 器件。8 Series更确保制造过程中现实/虚拟以及硬盘驱动器(HDD) 的质量控制。8 Series 型号可现场升级,提供了一种高性价比的方式来提高检测性能。

Micro-SR™

光学缺陷复检和量测系统

Micro-SR™ 光学缺陷复检和量测系统支持逻辑器件、存储器件和化合物半导体器件的大批量生产,以及先进封装应用。 Micro-SR 具备高分辨率并提供多种照明模式,可对晶圆正面或边缘的缺陷进行高质量成像和测量。 借助高通量图像采集功能,Micro-SR 可对所有图形化和无图形化的检测平台进行快速自动缺陷复检和并行处理,缩短了关键工艺决策的结果生成时间。此外,Micro-SR 还支持X、Y和高度量测,适用于硅通孔 (TSV)、凸点和重新布线层 (RDLs) 等应用。Micro-SR 系统可灵活支持多种晶圆尺寸(150/200mm 200mm/300mm、300mm),并且具备对多种不同晶圆厚度和基板类型(硅、碳化硅、氮化镓、砷化镓、玻璃、蓝宝石等)的适应能力。

CIRCL™

全表面晶圆缺陷检测、量测和复检集群系统

CIRCL™ 集群设备具有四个模块,覆盖所有晶圆表面,并借助并行数据收集实现高产量,从而进行高效的工艺控制。组成最新一代 CIRCL9 系统的模块包括:晶圆正面缺陷检测;晶圆边缘缺陷检测、轮廓、量测和复检;晶圆背面缺陷检测和复检;正面缺陷的光学检测和分类。数据收集由 DirectedSampling™ 控制,这是一种创新的方法,利用一次测量的结果触发集群内其他类型的测量。最新系统支持更宽范围的晶圆厚度,适用于晶圆正面检测和量测模块,以及光学复检模块。CIRCL9 的模块化配置为满足的工艺控制需求提供了灵活性,节省晶圆厂整体空间,减少晶圆排队时间,并为保护晶圆厂的资本投资提供了经济高效的升级路径。

Castor™

高效率图案化晶圆检测和计量系统

Castor™ 图案化晶圆检测系统是一款多合一解决方案,可解决硅基 OLED (OLEDoS) 制造的良率关键挑战。这种高效率系统可在一次运行中完成缺陷检查、审查和 3D 量测任务。从阳极层沉积到薄膜封装再到玻璃盖板,具有高级分类功能的高灵敏度缺陷检测为整个制造过程中的质量控制策略提供支持。通过在薄膜封装 (TFE) 工艺步骤中对隐藏缺陷进行快速、非破坏性的高度测量,可以快速识别并解决工艺问题。Castor 系统提供在线监控,以提高基于 OLEDoS 的微显示器的良率,为多种近眼显示应用提供超高分辨率视觉效果,包括虚拟现实 (VR) 和混合现实 (MR)。

Surfscan®

无图案晶圆缺陷检测系统

Surfscan®SP7XP无图案检测系统,识别影响先进储存与逻辑器件性能与可靠性的缺陷和表面品质问题。透过针对工具、制程与材料进行验证与建空,其支援包括用于EUV光子工具的集成电路、原始设备制造商、材料与基板制造。利用DUV雷射与出色的检测模式,Surfscan SP7XP提供了先进节点研发所需的最佳灵敏度,并具备支援高产量制造的产出率。辅助的检测模式包括相位对比通道 (PCC)与正常照明 (NI),可检测裸晶圆、光华与粗糙膜层,以及易碎的光刻胶和光刻堆叠得独特缺陷类型。基于图像的缺陷分类 (IBC) 利用了革命性的机器学习算法,加速根本故障原因定位,而Z7分类引勤则支援独特的3D NAND与厚膜应用。

eDRX Series

电子束晶圆缺陷检视和分类系统

eDRX1电子束晶圆缺陷复检与分类系统为硅基晶圆和芯片的制造提供支持,包括广泛的器件设计节点和类型(中央处理器(CPUs)、图形处理器(GPUs)、动态随机存取存储器(DRAM)、三维闪存(3D-NAND)等)。它能捕捉到缺陷的高分辨率图像,从而精准呈现晶圆上缺陷群体的分布情况。凭借宽范围的电子光学条件和专用的镜内探测器(ILD),eDRX1支持对多种工艺制程进行缺陷可视化,包括脆弱的EUV光刻层、高深宽比(HAR)沟槽层和电压衬度(VC)层。独特的Simul-6技术可在单次作业中生成目标缺陷(DOI)完整的”帕累托(pareto)”数据排列图,用于准确的缺陷来源分析和更快的参数偏移检测。eDRX1通过与KLA检测机台的可连接性形成独特的协作功能,例如与39xx/29xx宽波段光学图形晶圆检测机台来协作的DualSENS功能和与Surfscan®裸晶圆检测机台来协作的OptiSens功能,从而在芯片和晶圆制造过程中实现更快的良率学习。

eDR®是KLA 公司的注册商标。

eDR7380

电子束晶圆缺陷检视和分类系统

eDR7380电子束晶圆缺陷复检与分类系统为宽禁带半导体的晶圆和芯片制造提供支持。它可提供高分辨率的缺陷图像,并使用基于机器学习的自动缺陷分类功能生成准确的缺陷”帕累托(pareto)”数据排列图。eDR7380生成的数据有助于更快地溯源开发过程中的缺陷,更快地进行参数偏移检测,并在生产过程中提供更准确、可操作性更强的数据。eDR7380生成的缺陷信息有助于加快各种衬底类型(碳化硅、氮化镓、玻璃、蓝宝石、压电绝缘层(POI)等)和设备类型(电源、发光二极管、光子器件、射频、微机电系统等)的面市时间。eDR7380基于灵活的,可配置的平台构建,可针对各种尺寸(150、200、300毫米)和不同厚度(180至1500微米)的晶圆上广泛的缺陷尺寸和类型进行复检与分类。

eDR®是KLA 公司的注册商标。

eSL10™

e-Beam 图案晶圆检测系统

eSL10™电子束(e-beam)图案化晶圆缺陷检测系统利用业界很高的有效着陆电压与高分辨率捕获小的物理缺陷和高纵横比的缺陷,支持高级逻辑、DRAM和3D NAND器件产品制程开发和生产过程的监测。凭借创新的电子光学设计,eSL10™可以适应工业生产中的各种环境条件,在较小的束斑尺寸内产生高束流密度,能够在一系列具有挑战性的制程层和器件结构中捕获缺陷。革命性的Yellowstone™扫描模式可在不影响分辨率同时支持高速运行,能有效研究芯片的潜在制程弱点,配合缺陷发现。业界独一无二的Simul-6™技术在一次扫描中就能提供表面、形貌、材料对比度和深沟槽内部等信息,减少了完整收集各种类型缺陷信息所需的时间。借助集成的人工智能(AI)技术,eSL10采用SMARTs™深度学习演算法,能够将关键缺陷(DOI)的信号与图案本身和制程带来的噪声信号区分开,帮助在研发与量产提升阶段及时捕获和分类关键缺陷。

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KLA提供软件解决方案,集中与分析包括Klarity®和I-PAT®的芯片制造检测数据。

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KLA 通过Pro Systems认证与翻新项目支持采用了较大设计节点的芯片制造项目,包括带图案晶圆和无图案晶圆检测仪。

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